PEN薄膜的发展历史

　　早在1964年，日本帝人公司就开始了PEN的研究工作，到1971年，即以70-80吨/年规模试产PEN薄膜（商品名为Q薄膜），发现其性能与聚苯硫醚相当，是很理想的功能材料，可作高档磁记录薄膜。但由于PEN单体的制造成本高，使Q薄膜的发展受到限制，同时PEN的出现在当时还是引起了化工原料制造商的兴趣。1973年帝人公司建立年产1000吨PEN装置。1989年日本帝人公司使PEN膜商业化生产后，一直独占PEN膜供应市场，并在1993年建造了一条4000吨/年PEN薄膜生产线，将双向拉伸薄膜商标命名为TEONEX。2000年PEN膜市场需求已达到6300吨。PEN薄膜与PET薄膜同为聚酯类膜，可使用与PET薄膜同样的设备，通过熔融--挤出--双向拉伸制得PEN膜。与PET膜相比，PEN薄膜具有除优良的高强、高模及热阻性能外，又具备优良的气体阻隔性、耐水性、耐放射性特点，有效的拓展了PEN薄膜的应用范围。PEN薄膜的应用是PEN研究最多的一个方面，也是PEN最早投入使用的产品。目前PEN薄膜主要应用于磁带的基带、柔性印刷电路板、电容器膜、F级绝缘膜等方面。该公司90年代又建立4.8万吨PEN生产装置，生产的均聚PEN可直接用于生产包装瓶、薄膜、纤维及工程塑料。2001年帝人和三信化工共同开发了PEN学生饭盒。

　　我国在70年代曾对PEN进行过研究，也有批量生产，主要用于绝缘薄膜方面。进入80年代后我国对PEN的结构及性能进行了系统的研究，中国纺大在80年代研制成PEN聚合物及纤维，鞍山钢院、天津石化等均对PEN单体NDC进行过研究，并取得阶段性进展，中国桂林电器科研所曾试制PEN薄膜。仪征化纤股份公司已于1996年作为部级课题投入科研力量进行PEN的研究开发工作，从原料单体NDC开始，研究了聚合工艺以及催化剂效果，聚合了切片，完成了小试。但有关PEN单体和PEN工业化生产应用方面还未见过报道。

PEN薄膜的用途

　　近年来，PEN薄膜主要应用于磁带的基带、柔性印刷电路板、电容器膜、F级绝缘膜等方面，而PEN薄膜新的用途仍然在不断开发中。如数据磁带，数据磁盘的种类有DDS（数字、数据、储存），8MM数据磁带，1/4英寸磁带，DDS的需求量较大。根据DDS的记忆容量公别为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ型。Ⅱ、Ⅲ型为聚芳酰胺膜，Ⅰ型为PEN与PET共用型。记忆容量为2G，90MM的PEN薄膜代替。从记忆容量来考虑，Ⅰ型几乎全部被PEN占领。随着手机及小型携带机械的发展，对薄膜电容器的需求也不断增大。目前，虽然这方面市场规模虽小，但将是一个很有发展前途的领域。另外，由于PEN膜的耐热性、薄膜强度较好，用于汽车传感器及绝缘零配件方面也有一定的发展前途。再者，F级绝缘膜最具有应用前景。一般的PET薄膜只可达到E级（长期使用温度为120度），如果要达到B级（130度）,则要求粘度提高很多，而且齐聚物含量要很低，否则用于制冷密封型电机的绝缘时，受润滑油和冷媒的浸润容易将齐聚物抽提出来，从而造成电机故障。而PEN中齐聚物的质量分数仅为0.5%，耐水性是PET的4倍，耐热性好，可达到F级（160度）绝缘膜的要求，具有很好的应用前景。